LED強光電筒是以發(fā)光二極管作為光源的一種新型照明工具,具有省電、耐用、亮度強等優(yōu)點(diǎn)。這種手電筒常被用于公安防暴等特殊領(lǐng)域?，F在發(fā)光二極管作為光源的強光手電筒已經(jīng)不斷的走進(jìn)我們的生活。
 

　　LED強光電筒的技術(shù)原理：
 

　　發(fā)光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs(砷化鎵)、GaP(磷化鎵)、GaAsP(磷砷化鎵)等半導體制成的，其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-N特性，即正向導通，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下，電子由N區注入P區，空穴由P區注入N區。進(jìn)入對方區域的少數載流子(少子)一部分與多數載流子(多子)復合而發(fā)光，如圖1所示。
 

　　假設發(fā)光是在P區中發(fā)生的，那么注入的電子與價(jià)帶空穴直接復合而發(fā)光，或者先被發(fā)光中心捕獲后，再與空穴復合發(fā)光。除了這種發(fā)光復合外，還有些電子被非發(fā)光中心(這個(gè)中心介于導帶、介帶中間附近)捕獲，而后再與空穴復合，每次釋放的能量不大，不能形成可見(jiàn)光。發(fā)光的復合量相對于非發(fā)光復合量的比例越大，光量子效率越高。由于復合是在少子擴散區內發(fā)光的，所以光僅在靠近PN結面數μm以?xún)犬a(chǎn)生。
 

　　理論和實(shí)踐證明，光的峰值波長(cháng)λ與發(fā)光區域的半導體材料禁帶寬度Eg有關(guān)，即
 

　　λ≈1240/Eg(mm)
 

　　式中Eg的單位為電子伏特(eV)。若能產(chǎn)生可見(jiàn)光(波長(cháng)在380nm紫光～780nm紅光)，半導體材料的Eg應在3.26～1.63eV之間。比紅光波長(cháng)長(cháng)的光為紅外光?，F在已有紅外、紅、黃、綠及藍光發(fā)光二極管，但其中藍光二極管成本、價(jià)格很高，使用不普遍。